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Henan SI & C Co., Ltd

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Meubles de four SiC
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produit: nombre de vues: 447Meubles de four SiC 
prix unitaire: Négociable
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Délai de livraison: Consignment Deadline days
Date d'expiration: Long efficace
dernière mise à jour: 2020-03-30 21:20
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détaillé

Les meubles de four en carbure de silicium lié au nitrure de silicium (N-SiC) offrent d'excellentes performances de haute résistance, de conductivité thermique, de résistance aux chocs thermiques, de déformation, d'oxydation et de corrosion. Il fonctionne bien à haute température dans 1600 ℃.

Il est largement utilisé dans les domaines des abrasifs vitrifiés, des produits à haute teneur en alumine, de l'alumine moyenne tous, des fours industriels, de la céramique électronique, de la porcelaine haute tension, des articles sanitaires, de la porcelaine domestique, de l'alliage de nitrure, de la céramique moussée, etc.


Physique et chimique

SiC

≥72%

Si3N4

≥22%

Fe 2 O 3

≤0.7%

Si

≤0.4%

Masse volumique

≥ 2. 65 g / cm3

Porosité apparente

GG lt; 16%

Résistance à la compression rt

≥ 170 MPa

Module de rupture

≥ 45 MPa (rt)

≥ 50 MPa (1400 ° C)

Conductivité thermique

≥15w/m.k (1100°C)

Résistance

1800°C

Température de travail max

1550°C

D'autres spécifications peuvent être fournies en tant que clients' demande.


Si3N4le SiC collé est un nouveau type de matériaux réfractaires de haute qualité. Il comprend le tube rayonnant, la brique, les pièces déformées, etc. Ces produits, qui ont des économies d'énergie, une protection de l'environnement, une résistance aux hautes températures, une résistance à la corrosion et d'autres avantages, peuvent être largement appliqués dans le domaine de la construction urbaine, des meubles de four, de l'acier et des matériaux de construction chimiques, etc.


Si3N4produits SiC liés à haute résistance à température normale. Sous 1200-1400 ℃, il peut conserver presque la même résistance et la même dureté à une température normale. L'environnement étant différent, la température maximale de service peut atteindre jusqu'à 1650-1750 ℃.

Ces produits sont obtenus par frittage réactionnel d'un mélange de SiC avec des fines et additifs de Si et nitridation en N2 atmosphère à ~ 1450 ℃

La réaction suivante aurait lieu:

{{0}}Si+2N2→ Si3N4

{{0}}Si+SiO2+2N2→ 2 Si2N2O

Si3N4+SiO2→ 2 Si2N2O

Si3N4 Si2N2O agir comme liant pour les grains de SiC

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Emballage ampli GG; Livraison


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http://fr.hnsicah.com/

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